crecimiento de películas de znse impurificadas con tierras raras y estudio de sus propiedades ópticas y eléctricas

Abstract

En este trabajo se presentan los resultados obtenidos del estudio de las propiedades ópticas y estructurales del semiconductor ZnSe impurificado con Erbio, el cual presenta propiedades ópticas substancialmente diferentes en relación al material puro. Las películas fueron crecidas mediante la técnica de erosión catódica por radiofrecuencia utilizando Er(NO3)35H2O (nitrato de erbio) como dopante, permitiendo la incorporación del elemento Er (Erbio) al ZnSe (Seleniuro de Zinc). Los resultados obtenidos son comparados con los reportados en la literatura. El coeficiente de absorción fue obtenido mediante el análisis de los espectros de transmisión. El ancho de banda prohibida, Eg, se determinó a través del ajuste del coeficiente de absorción, obteniendo un valor de 2.3eV (electrón-volt), que es el correspondiente al material puro. También se presentan los estudios estructurales que se realizaron por difracción de rayos X.