CRECIMIENTO DE PELÍCULAS DE ZnSe IMPURIFICADAS CON TIERRAS RARAS Y ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES ÓPTICAS Y ELÉCTRICAS

Abstract

Se elaboraron películas semiconductoras de ZnSe impurificadas con tierras raras por la técnica de erosión catódica a radiofrecuencia y se estudiaron sus propiedades ópticas y estructurales con el propósito de evaluar su potencial aplicabilidad como capa ventana en celdas solares. En este trabajo se presentan los resultados obtenidos del estudio de las propiedades ópticas y estructurales del semiconductor ZnSe impurificado con Erbio, el cual presenta propiedades ópticas substancialmente diferentes en relación al material puro. Las películas fueron crecidas mediante la técnica de erosión catódica por radiofrecuencia utilizando Er(NO3)35H2O como dopante, permitiendo la incorporación del elemento Er al ZnSe. Los resultados obtenidos son comparados con los reportados en la literatura. El coeficiente de absorción fue obtenido mediante el análisis de los espectros de transmisión. El ancho de banda prohibida, Eg, se determinó a través del ajuste del coeficiente de absorción, obteniendo un valor de 2.3eV, que es el correspondiente al material puro. También se presentan los estudios estructurales que se realizaron por difracción de rayos X.