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Depósito de películas de materiales semiconductores por métodos químicos

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dc.contributor.author Trinidad Urbina, Rusbel Eduardo
dc.date.accessioned 2021-09-20T21:29:28Z
dc.date.available 2021-09-20T21:29:28Z
dc.date.issued 2016-12-16
dc.identifier.issn 2016022
dc.identifier.uri http://repositorio.digital.tuxtla.tecnm.mx/xmlui/handle/123456789/2890
dc.description.abstract En el presente trabajo se depositaron películas delgadas de Sulfuro de Cadmio (CdS), el cual es un material semiconductor comúnmente usado como capa ventana del tipo ‘n’ en aplicaciones fotovoltaicas, la técnica de depósito fue SILAR, la cual es tomada con una variación del Depósito de Baño Químico, pero con notables mejorías. Se utilizaron sales de Cloruro de Cadmio (CdCl2) como precursor catiónico y Tiourea (CH4N2S) como precursor aniónico, y se establecieron las condiciones óptimas de depósito con los precursores, obteniendo películas homogéneas y con buena adherencia al substrato. Se observó el comportamiento de la relación entre los espesores y el número de ciclos de las películas depositadas. Además se caracterizaron por medio de Reflectancia y Transmitancia y Difracción de Rayos X, para analizar las propiedades ópticas y estructurales, respectivamente. Los resultados de estas caracterizaciones ayudaron a seleccionar las películas delgadas que pueden ser consideradas a futuro como candidatas para la fabricación de un dispositivo fotovoltaico. Se estudia también la importancia de obtener películas semiconductoras, en este caso Sulfuro de Cadmio y por una técnica de depósito químico, como el SILAR, siendo este un método simple y de bajo costo. es_MX
dc.language.iso es es_MX
dc.relation.ispartofseries RESID.PROF;MDRPIQ2016022
dc.subject CdS es_MX
dc.subject DEPOSITOS es_MX
dc.subject SILAR es_MX
dc.title Depósito de películas de materiales semiconductores por métodos químicos es_MX
dc.type Technical Report es_MX


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